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2023-08-02
1. 特征尺寸 特征尺寸又稱為線寬(CD, critical dimension)。通常大家聽到的7 nm制程、14 nm制程中的7nm和14nm指的便是芯片的線寬。線寬指的是在...
2023-08-02
1. 直流濺射DCPVD:靶材只能是導(dǎo)體,主要用于沉積金屬柵。DCPVD是利用電場(chǎng)加速帶電離子,使離子和靶材表面原子碰撞,將后者濺射出來射...
2023-08-01
一、光刻技術(shù):從接觸式到接近式 接觸式光刻技術(shù)良率低、成本高:接觸式光刻技術(shù)出現(xiàn)于20世紀(jì)60年代,是小規(guī)模集成電路時(shí)期最主要的光刻技術(shù)。接觸...
2023-08-01
一、電子束蒸發(fā)鍍膜簡(jiǎn)述: 電子束蒸發(fā)鍍膜(Electron Beam Evaporation)是物理氣相沉積的一種,與傳統(tǒng)蒸鍍方式不同,電子束蒸鍍利用電磁場(chǎng)的配合...
2023-07-31
電子束光刻是一個(gè)相當(dāng)復(fù)雜的過程,其曝光過程中涉及到電子束與物質(zhì)的作用,這部分我們將在后續(xù)的過程中介紹,這里我們將介紹一下電子束光刻的曝光工藝...
2023-07-31
濺射沉積率是表征成膜速度的參數(shù),其沉積率高低除了與工作氣體的種類與壓力、靶材種類與“濺射刻蝕區(qū)“的面積大小、靶面溫度與靶面磁場(chǎng)強(qiáng)度、靶源與基...
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