EUV與現(xiàn)有光刻技術的主要區(qū)別，在于極紫外投影光刻系統(tǒng)使用了反射式掩模。反射式掩模采用堅固的背支撐結構．可以有效地防止由裝校應力以及熱應力產(chǎn)生的變形；透射式掩模則因為其對工作光束的強烈吸收與熱應力變形之間的矛盾不能協(xié)調(diào)解決而無法在13nm 光刻技術中得到應用。研究表明，EUV掩膜缺陷密度應為18nm 節(jié)點0．O03defects／cm2。

最新的數(shù)據(jù)認為，最終量產(chǎn)時的目標達到0.01defeets/cm2即可。但如今的EUV掩膜缺陷仍高達ldefect／cm2，任務非常艱巨。要使檢測機臺的水平滿足芯片制造的要求，EUV光源的亮度而非能量，仍需大幅改善。這是因為EUV光刻機的NA非常小，測量機臺只能覆蓋光源較小的一部分，高能量光源對于測量機臺來說太大太昂貴。在這一點上，LPP光源更小更亮，較DPP更有優(yōu)勢

Sematech光刻膠測試中心(RTC)的研究人員最近表示(2008年9月)，他們已經(jīng)通過化學特征增強的EUV光刻膠平臺，獲得了22nm半節(jié)距分辨率，曝光速度為15mJ／cm ，線寬粗糙度(LWR)達到5-6nm。RTC表示，盡管LWR仍高于ITRS技術要求，但通過處理和刻蝕工藝，LWR可以降低到DRAM／NAND應用中早期采用者可接受的程度。實驗結果表明，在22 nm節(jié)點EUV光刻將是有力的競爭方案。^[3]

2009年英特爾公司對EUV抗蝕劑提出的要求簡要介紹如表1 。研發(fā)符合英特爾公司圖形要求的EUV抗蝕劑是一個重要的挑戰(zhàn)。

研發(fā)符合英特爾公司圖形要求的EUV抗蝕劑是一個重要的挑戰(zhàn)。因此應用于EUV的化學增幅型抗蝕劑需要具備如下的特征：

①低吸光率，高透明度；

②高的抗蝕刻性；

③ 高分辨率；

④ 高感度，曝光劑量小于10 mJ／cm ；

⑤高的環(huán)境穩(wěn)定性；

⑥低的產(chǎn)氣作用，產(chǎn)氣材料能在光學元件上沉積減少原件

的反射率和壽命；

⑦低的線邊緣粗糙度；

⑧側壁角度不小于85°。